Les plus récent(e)s Transistors

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Transistors

Liste Images

Filtres appliqués:

Fabricant = Nexperia Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.

Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

09-29-2025

- Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09-09-2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

08-27-2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ

08-27-2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

Nexperia Carte Transistors à jonction bipolaire MJPEx (BJT))

08-26-2025

- Le boîtier CFP15B offre une alternative compacte et économique à la série MJD dans le boîtier DPAK.

Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ

08-19-2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ

08-19-2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ

08-19-2025

- FET à canal P 30 V dans un boîtier CMS en plastique MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie de MOSFET à tranchée.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07-03-2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07-03-2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

Nexperia MOSFET à tranchée de niveau logique canal N PXNx

04-14-2025

- MOSFET 60 V et 100 V conçus pour une gestion de l'alimentation à haut rendement dans diverses applications.

Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB8R0-040CBA

04-14-2025

- HEMT GaN bidirectionnel 40 V, 8,0 mΩ logé dans un boîtier WLCSP compact de 1,7 mm x 1,7 mm.

Nexperia NX5020x FET à mode d’amélioration à canal N

04-01-2025

- Les dispositifs ont une tension de seuil très faible et une commutation très rapide grâce à la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET de puissance spécifiques à une application

01-21-2025

- Allie un savoir-faire reconnu en matière de MOSFET à une fine connaissance des applications pour développer une gamme en constante expansion.

Nexperia ASFET CCPAK pour l'échange à chaud et le démarrage progressif

01-08-2025

- Offre un mode linéaire fiable, une SOA améliorée et une faible RDS(on) dans un seul et même composant.

Nexperia Transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q

12-30-2024

- Transistors PNP qualifiés AEC-Q101 dans un boîtier plastique CMS DFN2020D-3 (SOT1061D) ultra-mince.

Nexperia Transistors de puissance BC869-Q

12-11-2024

- Transistors de puissance moyenne PNP dans un boîtier SOT89 (SC-62) de puissance moyenne et plastique à broches plates.

Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB4R8-040CBA

10-01-2024

- Un transistor à haute mobilité électronique bipolaire (HEMT) GaN bidirectionnel de 40 V, 4,8 mΩ dans un boîtier WLCSP.

Nexperia MOSFET à canal N BUK7J2R4-80M

08-30-2024

- Basé sur la technologie de grille divisée à faible valeur ohmique Trench 14 et logé dans un boîtier LFPAK56E.

Nexperia Transistors PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q

07-04-2024

- Provides low collector-emitter saturation voltage and high collector current capability.

Nexperia FET au nitrure de gallium (GaN) GANE3R9-150QBA

07-02-2024

- Un FET au nitrure de gallium (GaN) à usage général de 150 V, 3,9 mΩ dans un boîtier VQFN.

Nexperia MOSFET SiC à canal N NSF0x0120

07-01-2024

- Disponibles dans un boîtier TO-263 à 7 broches ou dans un boîtier plastique QDPAK à 22 broches pour la technologie PCB de montage en surface.

Nexperia MOSFET à canal N NextPower PSMNxRx-80YSF

06-24-2024

- MOSFET à commande de grille de niveau standard de 80 V avec un faible Qrr pour une efficacité plus élevée et un pic plus faible.

Nexperia MOSFET à canal N NSF0x120L4A0

04-23-2024

- MOSFET de puissance 1 200 V à base de carbure de silicium (SiC) dans des boîtiers plastiques TO-247 à 4 broches bien connus.

Nexperia ASFET à canal N PSMN047-100NSE

04-04-2024

- L'ASFET de 100 V, 53 mΩ ASFET combine une architecture SOA améliorée dans une empreinte compacte de 2 mm x 2 mm,

Consulter : 1 - 25 sur 44

Filtrer par :

STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM

08-19-2026

- This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08-12-2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08-11-2026

- Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG

08-10-2026

- Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08-10-2026

- Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.

onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)

07-30-2026

- Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.

onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

07-30-2026

- Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

07-21-2026

- Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07-08-2026

- Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.

Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075

06-19-2026

- Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06-18-2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S

06-12-2026

- Conversion d'énergie efficace dans un boîtier compact et facile à intégrer, conçu pour les conceptions d'alimentation modernes.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05-27-2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05-18-2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™

05-06-2026

- Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04-14-2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04-10-2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04-07-2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04-06-2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V

04-02-2026

- Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03-31-2026

- Idéal pour la commutation à haute vitesse, les commutateurs de gestion de l’alimentation les convertisseurs CC-CC et les pilotes de moteurs.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03-31-2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03-27-2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03-27-2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03-24-2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Consulter : 1 - 25 sur 571

Types de Transistors

Filtrer par :

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance